大数最常见的原因可能的就是上火了。

电荷的注入和传输可以实现无缝衔接，否给翻盘由此导致的接触电阻也将最大限度降低。国产图1.单分子层单晶的X射线反射和截面TEM研究。

如果电荷注入界面与电荷传输界面的距离能够缩短，数据时地甚至消除，将能大幅降低接触电阻，提升器件的表观迁移率和综合电学表现。此外，库天基于单分子层单晶的晶体管，还表现出高达500的本征增益，以及高达4.2μA/μm的电流密度。研究发现，利的良机传统热蒸镀电极导致的热损伤，利的良机足以破坏单分子层半导体的结构，反而造成了更大的电荷注入壁垒，也是造成单分子层晶体器件性能劣化的主要因素。

单分子层单晶半导体在二维传输方向上具备高度有序的结构，大数具有理论上的最薄厚度。更重要的是，否给翻盘单分子层单晶的本征迁移率与同种材料的厚层晶体一致。

该工作发现有机半导体的单分子层单晶是理想的晶体管活性层材料，国产兼具高迁移率和低接触电阻的特性。

香港大学机械工程系陈国樑教授团队，数据时地最近在降低有机场效应晶体管接触电阻（Rc）方面的研究工作取得了突破性进展。2023年前三季度智慧显示终端收入境内市场同比增长11.06%，库天境外市场同比增长25.55%。

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